Технология выращивания огурца

 

Технология выращивания огурца Технология выращивания огурца во многом зависит от специфических качеств гибрида и непосредственных условий выращивания. Отношение огурца к температуре Как и все

Технология выращивания огурца во многом зависит от специфических качеств гибрида и непосредственных условий выращивания.
Отношение огурца к температуре
Как и все тыквенные, огурец очень теплолюбивая культура. Семена начинают прорастать при температуре 12-13°С, но оптимальная температура прорастания 25- 30°С.
Наиболее благоприятная температура для роста и развития до плодоношения составляет 24-28°С в солнечный день, 18-22°С в пасмурный; ночью температуру желательно поддерживать на уровне не ниже 12°С. При плодоношении оптимальная температура чуть выше: 24-30°С днем и выше 16°С ночью. Продолжительная повышенная дневная
температура свыше 30°С неблагоприятно влияет на развитие плодов. При поддержании ночной температуры выше 18°С достигается наилучший рост и развитие культуры и ускоряется наступление периода плодоношения.
Дневная температура ниже 10°С, в зависимости от продолжительности, ведет к повреждению генеративных органов (осыпанию завязи, искривлению плодов).
Температура 3°С на протяжении 3-4 дней приводит к гибели растений.
Отношение огурца к свету
Огурец светолюбивое растение. Современные гибриды фотонейтральные, но при выращивании огурца в условиях короткого дня (10-12 ч. в сутки) ускоряется развитие растения и формирование завязей.
Увеличение светового дня до 16 ч. в сутки стимулирует начало плодоношения, но снижает общую урожайность. Поэтому условия
выращивания рассады огурца при длине дня 10-12 ч. в сутки и освещенности в пределах 6-7 тыс. лк (люкс) можно считать оптимальными.
Если говорить о требовании культуры к освещенности, то минимально необходимая интенсивность освещения для вегетативного роста
огурца составляет 6 тыс.лк. Оптимальное же значениеосвещенности для развития и плодоношения находится в пределах 10-15 тыс. лк., в зависимости от мощности листового аппарата в определенной фазе развития.
Дальнейшее увеличение интенсивности освещения целесообразно до 40 тыс. л.к. Выше этого предела динамика увеличения урожайности приостанавливается.
В защищенном грунте для увеличения урожайности применяют досвечивание и проводят регулирование густоты стояния растений до оптимальной. В зависимости от способа формирования растения и сроков посадки, густота стояния может составлять 2,0-3,5 растения на 1м².
Также для регулирования светового режима в теплице проводят
мульчирование почвы светоотражающими материалами (белая пленка, светлые опилки, солома). Бетонные дорожки (если есть) и каркас теплицы необходимо покрасить в белый цвет.
В период интенсивного роста листового аппарата, особенно на верхних ярусах растения, нужно проводить осветляющие санитарные прочистки листьев.
Значение освещенности в технологии производства можно сравнить со значением некого общего знаменателя, к которому необходимо подвести или согласовать другие, не менее важные факторы, такие как питание, полив, температурный режим.
Отношение огурца к влаге
Огурец требователен к влажности почвы и относительной влажности воздуха. Оптимальная относительная влажность воздуха должна составлять 80-90%. Влажность почвы в период нарастания листового аппарата рекомендуется поддерживать на уровне 70-80% НВ, а в период цветения 55-60% НВ (в таких условиях успешнее проходит процесс
оплодотворения).
Недостаток влаги приостанавливает рост растений, способствует смещению пола цветков в мужскую сторону и появлению горечи в плодах. Горечь в плодах чувствуется из-за кукурбитацинов, которые накапливаются при высокой температуре и недостатке влаги, а также при продолжительных низких температурах.
При этом надо аметить, что все партенокарпические гибриды
генетически не имеют горечи.
Выращивание рассады:
Для выращивания сверхранней продукции можно использовать контейнера, торфоперегнойные горшочки емкостью не менее 0,5 л,
а также кассеты с ячейками размером 10 х 10 см, или 8 х 8 см. Для наполнения горшочков обычно используют смесь из трех частей земли и одной части перегноя, или из трех частей торфа и одной части перегноя. В тоже время следует отметить, что в последнее время все больше фермеров используют уже готовые субстраты.
Эти субстраты обладают целым рядом преимуществ: высокое качество, однородность, фитосанитарная чистота, отсутствие способных к прорастанию семян сорных растений, близкий к нейтральному уровень рН, наличие стартовых удобрений и т.д.
Семена огурца высевают на глубину 1-1,5 см по 1 шт. в каждый горшочек. Оптимальная температура воздуха и почвы в период прорастания семян 27-28°С. После появления всходов температуру воздуха на протяжении 4-5 суток снижают днем до 15-18°С, ночью до 12-14°С. Этот прием предотвращает вытягивание рассады.
Во время выращивания рассады проводят подкормку растений.
Рассада готова к высаживанию в фазе 3-4 настоящих листьев.
Для того чтобы установить необходимую температуру воздуха и почвы, теплицу накрывают пленкой за 10-15 дней до высадки рассады и заблаговременно обогревают.
Рассаду короткоплодных гибридов огурца в весенние теплицы высаживают, когда почва на глубине 10 см прогрета до 14 °С. В марте — апреле растения огурца в теплицах высаживают по схеме: 90+60 x 45-60 см, т. е. по 2-2,7 растения на 1 м2.
Чем раньше высаживают рассаду, тем меньше растений размещают на 1 м2.
При посадке почвой засыпают только ком земли (или горшочек), следя
за тем, чтобы не заглублять стебель.
Рекомендуется внесение в лунку небольшого количества припосадочных удобрений, содержащих фосфор, железо и цинк, что
приведет к усилению роста корневой системы.
Кроме того, желательно добавление в лунки биопрепаратов для
подавления почвенных патогенов.
Главными составляющими ухода являются полив, удобрение, создание микроклимата, формирование растений и борьба с вредителями и
болезнями. Оптимальный уровень предполивной влажности на
стадии вегетативного развития 80%, на стадии плодообразования 90% НВ в почвенном горизонте глубиной до 40 см. Полив огурцов желательно проводить ежедневно небольшими дозами. Такого режима полива можно добиться, используя капельное орошение.
До начала цветения растения поливают умеренно 2-3 л/м2, теплой водой (24-26°С). Периодичность полива огурца в защищенном грунте зависит от условий освещения, т.е. чем больше солнечной энергии поступает на растение, тем интенсивнее транспирация и фотосинтез, и тем больше воды требуется растению, и частота поливов соответственно увеличивается.
По мере роста вегетативной массы, вплоть до начала плодоношения, норму полива постепенно увеличивают. Во время цветения и плодоношения норму полива увеличивают, доводя во время плодоношения до 6-7 л/м2 (с учетом коэффициента испарения).
Растения огурца рекомендуется поливать не чистой водой, поскольку питательные элементы (особенно азот) быстро вымываются в нижние горизонты, и растения испытывают дефицит, а водой с растворенными в ней минеральными удобрениями с микроэлементами в хелатной форме.
В период плодоношения влажность воздуха должна быть
75-85%, температура воздуха в солнечную погоду +24 —
26°С, пасмурную 22-24°С, ночью 18-20°С, почвы желательно
+ 22-24°С.
При волнообразном плодоношении ночную температуру необходимо снизить до 15-16°С, что позволит восстановить корневую систему. Получение высокого урожая качественной продукции зеленцов в тепличных условиях возможно только при четком соблюдении
температурного режима воздуха и почвы, а также влажности воздуха.
До всходов:
Температура воздуха днем, °С + 27-28
Температура воздуха ночью,°С + 27-28
Температура почвы, °С +27-28
Относительная влажность, % НВ 80-85%
После всходов:
Температура воздуха днем, °С + 15-18
Температура воздуха ночью,°С + 12-14
Температура почвы, °С + 17-18
Относительная влажность, % НВ 80-85%
До высадки рассады:
Температура воздуха днем, °С + 18-25 ( +16-18 пасм.)
Температура воздуха ночью,°С + 14-16
Температура почвы, °С + 18-20
Относительная влажность, % НВ 80-85%
Во время плодоношения:
Температура воздуха днем, °С + 24-26 ( 22-24 пасм.)
Температура воздуха ночью,°С + 18-20
Температура почвы, °С не менее + 21
Относительная влажность, % НВ 75-85%

 

Источник

 

Добавить комментарий